“光電子集成芯片及其材料關鍵工藝技術”取得突破

【中國化工儀(yi) 器網 技術前沿】光電子集成芯片及其材料關(guan) 鍵工藝技術是新材料領域重要的發展方向之一，是未來高速大容量光纖通信、全光網絡、下一代互聯網、寬帶光纖接入網所廣泛依賴的技術。 　　“十二五”期間，863計劃新材料技術領域支持了“光電子集成芯片及其材料關(guan) 鍵工藝技術”主題項目。近日，863新材料技術領域辦公室在北京組織專(zhuan) 家對該主題項目進行了驗收。 　　“光電子集成芯片及其材料關(guan) 鍵工藝技術” 項目針對光子集成中的關(guan) 鍵問題，發展了新的器件結構和集成方法，在單一芯片上研究了多波長解複用陣列波導光柵(AWG)與(yu) 波導探測器陣列的耦合集成方法及工藝，有效解決(jue) 了結構和工藝兼容問題，實現了多波長並行高速波導探測器芯片集成；開展了矽基二氧化矽AWG、矽基PIN型可調光衰減器(VOA)器件製備工藝和集成芯片關(guan) 鍵技術研究，製備出矽基AWG與(yu) VOA集成芯片。通過項目的產(chan) 業(ye) 化實用技術研究，形成16通道矽基平麵光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chan) 能力。 　　“十三五”期間，為(wei) 進一步推動我國材料領域科技創新和產(chan) 業(ye) 化發展，瞄準國家重大需求、技術和產(chan) 業(ye) 製高點，科技部製定了《“十三五”材料領域科技創新專(zhuan) 項規劃》，在新材料技術發展方麵，重點發展戰略性電子材料、先進結構與(yu) 複合材料、新型功能與(yu) 智能材料，滿足戰略性新興(xing) 產(chan) 業(ye) 的發展需求。 　　在戰略性電子材料發展方向中對光電子與(yu) 微電子材料進行了係統布局， 重點研究低維半導體(ti) 異質結材料、半導體(ti) 傳(chuan) 感材料與(yu) 器件、新型高密度存儲(chu) 與(yu) 自旋耦合材料、高性能合金導電材料、微納電子製造用新一代支撐材料、高性能電磁介質材料和無源電子元件關(guan) 鍵材料、聲表麵波材料與(yu) 器件技術等。 　　編輯點評 　　“光電子集成芯片及其材料關(guan) 鍵工藝技術”項目的產(chan) 業(ye) 化實用技術研究，形成16通道矽基平麵光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chan) 能力，為(wei) 進一步推動我國材料領域科技創新和產(chan) 業(ye) 化發展提供了新的技術支撐。 　　(原標題：“光電子集成芯片及其材料關(guan) 鍵工藝技術”取得突破)